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Ein Beitrag zu spannungsfesten, leckstromarmen Hochgeschwindigkeitstransistoren auf InP - InP-based heterostructure field-effect transistor

Molekularstrahlepitaxie, Technologie und Modellierung von InP-basierenden Heterostrukturfeldeffekttransistoren mit reduzierten Stoßionisationsraten und additiven Löcher- und Elektronenbarrieren zur Erzielung kleinster Leckströme und grössten Durchbruchsspannungen bei höchsten Schaltgeschwindigkeiten

Identiferoai:union.ndltd.org:DUETT/oai:DUETT:duett-05212001-081052
Date21 May 2001
CreatorsAuer, Uwe Horst
ContributorsTegude, Franz-Josef
PublisherGerhard-Mercator-Universitaet Duisburg
Source SetsDissertations and other Documents of the Gerhard-Mercator-University Duisburg
LanguageGerman
Detected LanguageGerman
Typetext
Formattext/html, application/pdf
Sourcehttp://www.ub.uni-duisburg.de/ETD-db/theses/available/duett-05212001-081052/
Rightsunrestricted, I hereby certify that, if appropriate, I have obtained and attached hereto a written permission statement from the owner(s) of each third party copyrighted matter to be included in my thesis, dissertation, or project report, allowing distribution as specified below. I certify that the version I submitted is the same as that approved by my advisory committee. Hiermit erteile ich der Universitaet Duisburg das nicht-ausschliessliche Recht unter den unten angegebenen Bedingungen, meine Dissertation, Staatsexamens- oder Diplomarbeit, meinen Forschungs- oder Projektbericht zu veroeffentlichen und zu archivieren. Ich behalte das Urheberrec[Mon May 21 08:07:09 2001] (eval 35): Bareword found where operator expected at (eval 35) line 2, near

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