Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica / Made available in DSpace on 2012-10-23T13:34:57Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Este trabalho apresenta um modelo compacto para a tensão de Early do transistor MOS em inversão fraca e moderada. Utilizando as equações do modelo ACM (Advanced Compact Mosfet Model) e incluindo os efeitos de canal curto relevantes como o DIBL e a modulação do comprimento das zonas de depleção de dreno e fonte, chega-se a um modelo compacto para a tensão de Early que proporciona aproximações úteis para o projetista de circuitos integrados. Para extração de parâmetros do modelo proposto foram feitas medidas experimentais em transistores de diversos comprimentos, níveis de inversão e tensões de dreno. As curvas traçadas de acordo com o modelo compacto e com parâmetros extraídos para dispositivos em tecnologia CMOS 0,35 m são comparadas às curvas experimentais. Os resultados obtidos comprovam a eficiência do modelo como uma aproximação para cálculos de primeira ordem.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.ufsc.br:123456789/90656 |
| Date | January 2007 |
| Creators | Radin, Rafael Luciano |
| Contributors | Universidade Federal de Santa Catarina, Schneider, Márcio Cherem |
| Publisher | Florianópolis |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | ix, 64 f.| il., grafs. |
| Source | reponame:Repositório Institucional da UFSC, instname:Universidade Federal de Santa Catarina, instacron:UFSC |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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