In this thesis the pinch-off behavior in nanoscale Multi-Gate MOSFETs was reviewed and with compact models described. For this a 2D approach with Schwarz-Christoffel conformal mapping technique was used. A model to calculate the current in single gate MOSFETs was derived and compared to device simulations from TCAD Sentaurus down to 50nm. For the DoubleGate MOSFET a new way to define the saturation point was found. A fully 2D closed-form model to locate this point was created. It was also found that with quantum mechanics effects a pinch-off point can occur and can be described with the same model. Furthermore the model was extended to describe the coupled pinch-off points in an asymmetrical biased DoubleGate MOSET with an even an odd mode. Also the saturation point behavior in FinFETs was examinated.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:TDX_URV/oai:www.tdx.cat:10803/52800 |
| Date | 12 January 2011 |
| Creators | Weidemann, Michaela Patricia |
| Contributors | Kloes, Alexander, Íñiguez Nicolau, Benjamí, Universitat Rovira i Virgili. Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica |
| Publisher | Universitat Rovira i Virgili |
| Source Sets | Universitat Rovira i Virgili |
| Language | English |
| Detected Language | English |
| Type | info:eu-repo/semantics/doctoralThesis, info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
| Format | 144 p., application/pdf |
| Source | TDX (Tesis Doctorals en Xarxa) |
| Rights | ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs., info:eu-repo/semantics/openAccess |
Page generated in 0.0018 seconds