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Charakterisierung des Relaxationsverhaltens von Si1-xGex/Si(001)-Schichten mittels Röntgentopographie

Berlin, Humboldt-Univ., Diss., 2001. / Computerdatei im Fernzugriff.

Identiferoai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/638397419
Date January 2001
CreatorsPfeiffer, Jens-Uwe.
Publisher[S.l.] : [s.n.],
Source SetsOCLC
LanguageUndetermined
Detected LanguageGerman

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