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[en] BORON INCORPORATION INTO GRAPHENE SINGLE LAYER PREPARED BY CVD USING LIQUID PRECURSOR / [pt] INCORPORAÇÃO DE BORO EM GRAFENO DE CAMADA SIMPLES CRESCIDO POR CVD UTILIZANDO PRECURSOR LÍQUIDO

[pt] Nesta tese descrevemos a preparação de grafeno, puro e dopado com
boro, de camadas simples como também a produção de duas ou mais camadas
de grafeno. O processo de transferência para outros substratos é discutido
objetivando aplicações futuras. Descrevemos também a caracterização
morfológica utilizando a microscopia eletrônica de varredura por emissão de
campo (FESEM). Espectroscopia Raman e por fotoelétrons induzidas por
raios x (XPS) foram utilizadas para detectar e quantificar a dopagem com
boro em amostras crescidas sobre substratos de cobre e transferidas para
substratos de quartzo. Os resultados indicaram que a temperatura, pressão e
tempo de crescimento são de fundamental importância para a síntese de
grafeno, tendo sido realizado um estudo para formação a diferentes
temperaturas, pressões e tempos de crescimento. Análises por XPS e por
Raman indicaram que a maioria das amostras foram dopadas com boro de
forma substitucional, apresentando também outros tipos de ambientes
químicos na amostra, além das bandas G e 2D terem se deslocado para
vermelho, que é um indicativo de dopagem. / [en] This thesis describes the preparation of pure and boron doped single
layer graphene but, also graphene of two or more layers. The process of
transfer to other substrates is discussed aiming future applications. We also
describe the morphological characterization using field emission scanning
electron microscopy (FESEM). Raman spectroscopy and x-ray induced
photoelectron spectroscopy (XPS) were used to detect and quantify the doping
with boron in the samples grown on copper substrate and transferred onto
quartz substrates. The results indicated that the temperature, pressure and time
of growth are crucial for graphene synthesis and we conducted a study in order
to test different synthesis conditions: temperatures, pressures and times of
growth. Analysis by XPS and Raman spectroscopy indicated that the majority
of the samples were doped with boron in a substitution manner, also
presenting other types of chemical environments in the sample in addition to
the G and 2D bands had shifted to red, which is indicative of doping.

Identiferoai:union.ndltd.org:puc-rio.br/oai:MAXWELL.puc-rio.br:25663
Date22 January 2016
CreatorsERIC CARDONA ROMANI
ContributorsFERNANDO LAZARO FREIRE JUNIOR
PublisherMAXWELL
Source SetsPUC Rio
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
TypeTEXTO

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