Return to search

Research and application of GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures for microwave detection / Įvairiatarpių GaAs/AlxGa1-xAs darinių tyrimai ir taikymai mikrobangų detekcijai

Spectrum region of millimeter wave is extensively used in various areas: from consumer devices in telecommunication networks, to specific applications in military and diagnostic medicine. Schottky diode is the most commonly used two terminal device in microwave receivers. Although the operational frequency of Schottky diode is reaching the terahertz frequency range it has several drawbacks such as sensitivity dependence on temperature, long-term instability and sensitivity to overloads. These drawbacks impelled one to search new type of devices. Two types of microwave diodes fabricated using GaAs/AlGaAs heterostructures are presented in the thesis. The quality of semiconductor epitaxial layers was experimentally estimated using photoluminescence and time correlated single photon counting techniques. The process of microwave diode fabrication is described. Electrical properties of microwave diodes were estimated from current-voltage characteristics and properties of microwaves detection were investigated in wide frequency range. / Milimetrinių bangų sritis yra perspektyvi daugelyje sričių, nuo kasdienio vartojimo įtaisų tokių, kaip telekomunikacijų tinklų įranga iki specifinių taikymų kariuomenėje, bei diagnostinėje medicinoje. Milimetrinių bangų imtuvuose dažniausiai naudojamas netiesinis elementas yra Šotkio (Schottky) diodas. Nors jo veikimo dažnių ruožas yra iki terahercų srities, tokie trūkumai kaip jautrio priklausomybė nuo temperatūros, neatsparumas elektrinėms perkrovoms, bei jo parametrų blogėjimas laikui bėgant verčia ieškoti naujų alternatyvų. Disertacijoje pristatomi dviejų tipų mikrobangų diodai, pagaminti naudojant įvairiatarpius GaAs/AlGaAs darinius. Puslaidininkinių darinių sluoksnių kokybė buvo eksperimentiškai įvertinta naudojant nuostoviosios fotoliuminescencijos ir laike koreliuoto fotonų skaičiavimo metodus. Aprašytas mikrobangų diodų gamybos procesas. Elektrinės savybės buvo įvertintos išmatavus mikrobangų diodų voltamperines charakteristikas, o detekcinės jų savybės ištirtos plačiame dažnių ruože.

Identiferoai:union.ndltd.org:LABT_ETD/oai:elaba.lt:LT-eLABa-0001:E.02~2013~D_20131230_081637-29357
Date30 December 2013
CreatorsNargelienė, Viktorija
ContributorsKANCLERIS, ŽILVINAS, BANYS, JŪRAS, KLEIZA, VYTAUTAS, NOVICKIJ, JURIJ, STANKEVIČ, VOITECH, BALEVIČIUS, SAULIUS, ŠATKOVSKIS, EUGENIJUS, Sužiedėlis, Algirdas, Kundrotas, Algis Jurgis, Širmulis, Edmundas, Vilnius University
PublisherLithuanian Academic Libraries Network (LABT), Vilnius University
Source SetsLithuanian ETD submission system
LanguageEnglish
Detected LanguageEnglish
TypeDoctoral thesis
Formatapplication/pdf
Sourcehttp://vddb.library.lt/obj/LT-eLABa-0001:E.02~2013~D_20131230_081637-29357
RightsUnrestricted

Page generated in 0.002 seconds