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Nachweis mesoskopischer elektrischer Inhomogenitäten in undotiertem GaAs mittels Punktkontakt-Verfahren

Techn. Universiẗat, Diss., 2000--Freiberg.

Identiferoai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/614477627
CreatorsReichel, Carsten.
Source SetsOCLC
LanguageGerman
Detected LanguageGerman
TypeOnline-Publikation.

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