Charakterisierung und Präparation von GaN und Herstellung von In-Plane-Gate-Transistoren in AlxGa-x/N/GaN- Heterostrukturen

Description

Bochum, Univ., Diss., 2003. / Computerdatei im Fernzugriff.

Links & Downloads

1. http://www-brs.ub.ruhr-uni-bochum.de/netahtml/HSS/Diss/EbbersAndre/diss.pdf
2. http://www-brs.ub.ruhr-uni-bochum.de/netahtml/HSS/Diss/EbbersAndre
3. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=969077785

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Galliumnitrid

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/638436279
Date	January 2003
Creators	Ebbers, André.
Publisher	[S.l.] : [s.n.],
Source Sets	OCLC
Language	Undetermined
Detected Language	German