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Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur FETs für hohe Leistung

Ulm, Univ. Diss., 2006.

Identiferoai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/315819513
Date January 2006
CreatorsNeuburger, Martin,
Publisher[S.l. : s.n.],
Source SetsOCLC
LanguageGerman
Detected LanguageGerman
TypeOnline-Publikation.
SourceKostenfrei

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