Orientador : Peter Jurgen Tatsch / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-18T14:19:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Yoshioka_RicardoToshinori_M.pdf: 6898659 bytes, checksum: ea42ab9c000962d6c31534273494db00 (MD5)
Previous issue date: 1992 / Resumo: Neste trabalho é apresentado um estudo sobre a decapagem por plasma de fotorresiste num reator tipo barril, sendo que o 02 e SF6 foram utilizados como gases de processo. Este estudo foi aplicado no processo de fabricação de pontes aéreas (air bridges). No capítulo I, apresenta-se uma introdução, onde é descrita a importância da decapagem
por plasma. No capítulo II mostra-se como é o ambiente de plasma para a decapagem de diversos materiais, utilizados em microeletrônica. No capítulo 111 descrevem-se as principais características que podem ser obtidas nos processos de decapagem por plasma, e no capítulo IV, mostram-se os equipamentos normalmente utilizados. Neste capítulo dá se maior enfoque no reator tipo barril ou tubular, pois foi utilizado esse tipo de aparelho. No capítulo V comentam-se sobre os principais materiais e gases utilizados e no capítulo VI é detalhado o processo da decapagem do fotorresiste por plasma de 02 e gases fluorados. A parte experimental do trabalho é apresentada no capítulo VII. A aplicação da decapagem do fotorresiste por plasma de 02 e SF6 na fabricação de pontes aéreas é mostrada no capítulo VIII. Finalmente as perpectivas e as principais conclusões são apresentadas no capítulo IX. Os principais resultados obtidos neste trabalho são:
- Observou-se um aumento da taxa de decapagem do fotorresiste quando se adicionou uma pequena porcentagem do gás SF6 ao plasma de 02 (entre 2% e 5% do fluxo total). - A detecção do ponto final, da decapagem com a mistura, por espectroscopia ótica, pode ser realizada como na decapagem de fotorresiste por plasma de 02. - Foi observado no microscópio ótico que Si e Si02 não sofreram ataques perceptíveis por plasma de 02 e SF6, caracterizando uma boa seletividade. - A utilização da mistura 02/SF6 possibilita a remoção rápida do fotorresiste na fabricação de pontes aéreas sem afetar o metal (AI) / Abstract: Not informed. / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/261578 |
| Date | 01 April 1992 |
| Creators | Yoshioka, Ricardo Toshinori |
| Contributors | UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Tatsch, Peter Jürgen, 1949- |
| Publisher | [s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | 109f. : il., application/pdf |
| Source | reponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Page generated in 0.0018 seconds