Orientador: Rene Brenzikofer / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T06:54:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1
VilchePena_AngelFidel_M.pdf: 838241 bytes, checksum: 58bdc8e3eeb50224c5e3f6e38678ad4c (MD5)
Previous issue date: 1984 / Resumo: Este trabalho, faz um estudo dos compostos de silício-nitrogênio obtidos por descarga luminescente RF em atmosfera de silano e nitrogênio.
Nos primeiros capítulos, são mostrados os métodos de crescimento dos filmes de silício-nitrogênio e descrito com grande detalhe o equipamento de descarga luminescente construído para o crescimento destes filmes, assim como o procedimento utilizado na formação dos compostos para obter uma boa reprodutibilidade nas suas características.
Os parâmetros estudados no crescimento dos filmes foram a potência RF (15 W, 67 W e 183 W) e o conteúdo de silano na atmosfera de trabalho (74%, 62%, 48% e 29%).
Um estudo sobre a posição dos eletrodos em relação ao substrato foi realizado e revelou uma distancia de 6 cm como apropriada para a obtenção de filmes de compostos de silício-nitrogênio com melhor qualidade do filme e determinação dos parâmetros ópticos dos mesmos.
A caracterização óptica dos filmes foi feita através do estudo de transmitância do filme (tirado de um espectrofotômetro). A análise dos espectros, com a ajuda de um programa de computação, inclui a aplicação de diferentes modelos físicos (índice de refração, gap óptico, índice de refração do substrato, etc.).
É mostrado também o equipamento empregado na caracterização elétrica dos filmes. Medidas de condutividade elétrica em função da temperatura são utilizadas para determinar a energia de ativação (e o nível de Fermi).
Resultados sobre a velocidade de crescimento, índice de refração, gap óptico, energia de ativação e a evolução da densidade de estado perto das bandas estão apresentados.
Este trabalho mostra que é possível crescer diversos tipos de compostos silício-nitrogênio, com características que vão desde o silício amorfo até o nitreto de silício Si3N4 / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/277062 |
| Date | 31 October 1984 |
| Creators | Vilche Pena, Angel Fidel |
| Contributors | UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Brenzikofer, René, 1945- |
| Publisher | [s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin, Programa de Pós-Graduação em Física |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | 54f. : il., application/pdf |
| Source | reponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Page generated in 0.0022 seconds