Através de uma pesquisa sistemática de linhas de zero-fônon de defeitos em Halogenetos Alcalinos, para aplicações de geração de buracos em bandas de absorção inomogêneas, estudamos o Centro R, particularmente a banda R2, gerada pela coloração aditiva deHalogenetos alcalinos. Esta banda pode ser eficientemente apagada à baixa temperatura (20K) até com uma luz fraca de um espectrofotômetro, para duas amostras: KCl:NaCl:KOH e KCl:KOH, com linhas de zero-fônon a 741.7nm e 742.0nm, respectivamente. Para a primeira, o efeito pode ser observado mais intensamente, sugerindo a influência positiva do Sódio neste tipo de experimento. A recobertura térmica dos buracos gerados permitiu a reversibilidade parcial do processo. Discutimos também a fenomenologia do processo através de várias alternativas para sua compreensão, e propomos caminhos para a identificação do processo. Concluímos que a banda R2 dos centros das amostras citadas são candidatas à geração de buracos otimizada para a obtenção de memória ótica com alta densidade de armazenamento. Ainda, ressaltamos a importante influência das impurezas introduzidas nos Halogenetos alcalinos para se criarem boas condições (estabilidade térmica e ótica) para a geração de buracos, evidenciando, portanto, que não somente o parâmetro de rede da matriz combinado com o grau de aglomerados de centros são suficientes para indicar a matriz adequada para este tipo de experimento. / In a systematic search for zero-phonon lines arising from deffects in Alkali Halides for hole burning applications in inhomogeneous absorption bands, we have studied the R-center, particularly the R2 bands, formed by additive coloration of Alkali Halides. This band could be efficiently bleached at low temperature (20K) using a weak spectrometer light irradiation in two samples: KCl:NaCl:KOH and KCl:KOH with zero-phonon lines at 741.7nm and 742.0nm respectively. For the first one, the effect could be observed with much more intensity, suggesting the Sodium positive influence for this kind of experiment. The thermal recovery of the holes burned allowed partial reversibility of the process. We also discuss the process phenomenology using several alternatives for its comprehension and we propose some ways for the process identification. We conclude that R2 band for the mentioned samples are good candidates for hole burnings in a optimized way to obtain high density storage optical memory. We also point out the important influence of the impurities introduction in the Alkali Halide hosts in the sense of developing good conditions (optical and thermal stabilities) for the hole burning experiment, showing clearly that not just the lattice parameter joined with the degree of aggregate centers, are enough to reveal the ideal host for this kind of experiment.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:usp.br/oai:teses.usp.br:tde-06042009-092525 |
| Date | 13 December 1990 |
| Creators | Schiabel, Liliane Ventura |
| Contributors | Li, Maximo Siu |
| Publisher | Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP |
| Source Sets | Universidade de São Paulo |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | Dissertação de Mestrado |
| Format | application/pdf |
| Rights | Liberar o conteúdo para acesso público. |
Page generated in 0.0021 seconds