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Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras III-V crescidas por epitaxia por feixes moleculares. / Study of incorporations of donor impurities in III-V semiconductor structures grown by molecular beam epitaxy.

Amostras de Semicondutores III-V foram crescidas usando a técnica de Epitaxia por feixes Moleculares. As propriedades elétricas das estruturas de GaAs com dopagem planar com Silício foram investigadas, e também a saturação e a difusão do Silício nestas amostras. As propriedades ópticas e elétricas das estruturas dopadas planarmente com Selênio foram analisadas, usando as técnicas de Capacitância-voltagem e a de Tunelamento resonante. As propriedades elétricas dos poços quânticos a base de InGaAs/GaAs foram investigadas, em função da posição da impureza planarmente dopada com Silício. / III-V semiconductor samples were grown using the Molecular beam epitaxy technique, the electrical properties of the GaAs structures planar doped with silicon were investigated as well as the Silicon saturation and diffusion in these samles. The optcal and electrical properties of structures planar doped with Selenium were analyzed using the Capacitance Voltage and resonant Tunneling techniques. The electrical properties of InGaAs/ GaAs based quantum wells were investigated as a function of the planar doped with Silicon impurity position.

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:teses.usp.br:tde-09032009-150110
Date29 April 1993
CreatorsAirton Carlos Notari
ContributorsPierre Basmaji, Jarbas Caiado de Castro Neto, Valmir Antonio Chitta, Fernando Iikawa, Paulo Motisuke
PublisherUniversidade de São Paulo, Física, USP, BR
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguageEnglish
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Sourcereponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP, instname:Universidade de São Paulo, instacron:USP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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