Return to search

Radiacijos generuoti taškiniai defektai ir jų reakcijos / Point defects generated by radiation and their reactions

Šiame darbe nagrinėjami radiaciniai defektai bei jų tarpusavio reakcijos silicyje. Atlikti eksperimentai, kurių metu pasitelkus minkštąją Rentgeno spinduliuotę buvo generuojami defektai. Vėliau bandiniai buvo tiriami FT-IR spektroskopijos metodais. Darbo apimtis 52 puslapiai. Darbas susideda iš 5 dalių. Pirmoje dalyje apžvelgiami Rentgeno spinduliuotės šaltiniai ir spinduliuotės savybės. Antroje - dalyje radiaciniai defektai silicyje. Trečioje - defektų tyrimo metodai. Ketvirtoje - dalyje defektų reakcijos. Penktoje - eksperimento metodika ir eksperimento rezultatai. / In this work, we are researching radiation defects and their reactions in silicon. During experiments defects were generated using soft Rentgen radiance. Later samples were researched using FT-IR methods of spectroscopy. Work amount is 52 pages. Work consists from 5 parts. First part - overview of sources and features of Rentgen radiance. Second part – radiation defects in silicon. Third part – methods of defect researching. Fourth part – reactions of defects. Fifth part – Methods and results of experiment.

Identiferoai:union.ndltd.org:LABT_ETD/oai:elaba.lt:LT-eLABa-0001:E.02~2009~D_20090828_134234-78380
Date28 August 2009
CreatorsStuknys, Vaidas
ContributorsNorgėla, Žilvinas, Janavičius, Arvydas Juozapas, Girdauskas, Valdas, Lankauskas, Alfredas, Šlekienė, Violeta, Siauliai University
PublisherLithuanian Academic Libraries Network (LABT), Siauliai University
Source SetsLithuanian ETD submission system
LanguageLithuanian
Detected LanguageUnknown
TypeMaster thesis
Formatapplication/pdf
Sourcehttp://vddb.library.lt/obj/LT-eLABa-0001:E.02~2009~D_20090828_134234-78380
RightsUnrestricted

Page generated in 0.0021 seconds