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Influence des défauts ponctuels sur la relaxation du silicium amorphe

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Identiferoai:union.ndltd.org:umontreal.ca/oai:papyrus.bib.umontreal.ca:1866/29610
Date January 2001
CreatorsDias, Cristiano Luis
ContributorsLewis, Laurent J., Roorda, Sjoerd
Source SetsUniversité de Montréal
LanguageFrench
Detected LanguageFrench
Typeother, autre
Formatapplication/pdf

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