Tato práce se zabývá popisem základních vlastností LDMOS tranzistorů. V první části práce jsou rozebrány vlastnosti LDMOS tranzistorů, jejich základní parametry a techniky pro vylepšení parametrů těchto tranzistorů. V další části je rozebrána spolehlivost LDMOS tranzistorů, tato část popisuje bezpečnou pracovní oblast (SOA), injekci horkých nosičů (HCI) a negativní teplotní stabilitu (NBTI). Poslední teoretická část popisuje používané modely pro simulaci ESD událostí. Praktická část práce je zaměřena na simulaci základních parametrů PLDMOS a NLDMOS tranzistorů, porovnání simulovaných a změřených koncentračních profilů. Dále se práce zabývá simulacemi změny geometrických parametrů PLDMOS tranzistoru a vliv těchto změn na elektrické parametry. Poslední část práce tvoří TLP simulace, které zkoumají elektrické vlastnosti PLDMOS tranzistoru při použití jako ESD ochrana.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:nusl.cz/oai:invenio.nusl.cz:221014 |
| Date | January 2014 |
| Creators | Šeliga, Ladislav |
| Contributors | Boušek, Jaroslav, Hégr, Ondřej |
| Publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií |
| Source Sets | Czech ETDs |
| Language | English |
| Detected Language | Unknown |
| Type | info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Rights | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess |
Page generated in 0.0016 seconds