Caractérisations électriques des structures MOS à nanocristaux de Ge pour des applications mémoires non volatiles

Description

Thèse doctorat : Microélectronique : Villeurbanne, INSA : 2004. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. à la fin de chaque chapitre.

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1. http://docinsa.insa-lyon.fr/these/pont.php?id=kanoun

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Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/493268046
Date	January 2005
Creators	Kanoun, Mehdi Souifi, Abdelkader.
Publisher	Villeurbanne : Doc'INSA,
Source Sets	OCLC
Language	French
Detected Language	French