Contribution à l'étude de la dégradation de films minces et ultra-minces de SiO2 de structures MOS soumises à des contraintes électriques et à la caractérisation par spectroscopie tunnel inélastique de jonction Al-SiO2-Si thèse pour le doctorat en sciences spécialité Electronique /

Description

Reproduction de : Thèse de doctorat : Electronique : Reims : 2004. / Titre provenant de l'écran titre. Bibliogr. p. 187-191.

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1. http://scdurca.univ-reims.fr/exl-doc/GED00000021.pdf

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Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/491521833
Date	January 2005
Creators	Petit, Christian Meinertzhagen, Anne Salace, Guy
Publisher	Reims : S.C.D. de l'Université,
Source Sets	OCLC
Language	French
Detected Language	French