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Le Transistor hyperfréquence à effet de champ à l'arséniure de gallium : modèles mathématiques pour la conception assistée par ordinateur des circuits non linéaires.

Th.--Sci.--Toulouse 3, 1981. N°: 1014.

Identiferoai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/464936941
Date January 1900
CreatorsAzizi, Chérifa,
Publisher[S.l. : s.n.,
Source SetsOCLC
LanguageFrench
Detected LanguageFrench

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