Return to search

INJECTION DE FAUTES SIMULANT LES EFFETS DE BASCULEMENT DE BITS INDUITS PAR RADIATION

Obtenir une estimation du taux d'erreurs induit par les phénomènes de basculement de bit (soft error<br />rate, SER) des équipements électroniques est d'un intérêt grandissant. Les standards publiés traitent principalement de la qualification des circuits de type mémoire. Il n'y a pas d'accord sur les méthodes de qualification des microprocesseurs. Dans ce contexte, cette thèse s'attache à définir une méthodologie permettant de prédire le SER d'un processeur à l'aide d'une approche en trois étapes: 1) En définissant une méthode de test sous radiation permettant d'obtenir de façon précise la sensibilité du circuit au rayonnement ionisant; 2) En présentant une analyse détaillée des mesures, dont le but est d'extraire un modèle statistique d'un test accéléré; 3) En utilisant cette empreinte statistique pour reproduire à l'aide d'injection de fautes le comportement du circuit étudié afin de prédire le comportement d'une application quelconque exécutée par le processeur.

Identiferoai:union.ndltd.org:CCSD/oai:tel.archives-ouvertes.fr:tel-00011494
Date14 November 2005
CreatorsFaure, F.
Source SetsCCSD theses-EN-ligne, France
LanguageFrench
Detected LanguageFrench
TypePhD thesis

Page generated in 0.0019 seconds