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Excitons em estruturas semicondutoras quasi-unidimensionais / Not available

Neste trabalho estudamos o comportamento da energia de ligação de um éxciton em um fio quântico. O modelo utilizado considera barreiras finitas e seção transversal retangular. Utilizamos o método variacional com uma função de onda tentativa na forma gaussiana. Os parâmetros do material utilizados no calculo são os do GaAs/Ga1-xAlxAs. Incluímos a anisotropia das massas dos buracos leve e pesado, que e gerada pelo confinamento na direção y, desprezando outros efeitos na estrutura de banda. Comparamos nossos resultados com cálculos teóricos existentes. Estudamos também o efeito da interação com fônons sobre a energia de ligação do éxciton no fio quântico. Para tanto utilizamos um método variacional conjugado com transformações unitárias proposto por Lee-Low-Pines / In this work we study the behavior of the exciton binding energy in a quantum wire. The model assumes finite barrier height and a rectangular cross section. A variation method is used with a Gaussian trial wave function. The material parameters used in the calculations are those of the GaAs/Ga1-xAlxAs. The heavy and light hole mass anisotropies arising from confinement in the wire direction is included, while other effects in the band structure are neglected. The present results are compared with other authors calculations. The effect of the fonon interaction on the exciton binding energy in the quantum wire is analyzed. For this purpose a variation method conjugated with unitary transformations as proposed by Lee-Low-Pines was employed

Identiferoai:union.ndltd.org:usp.br/oai:teses.usp.br:tde-10032015-172847
Date22 August 1990
CreatorsPanepucci, Roberto Ricardo
ContributorsHipolito, Oscar
PublisherBiblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Source SetsUniversidade de São Paulo
LanguagePortuguese
Detected LanguageEnglish
TypeDissertação de Mestrado
Formatapplication/pdf
RightsLiberar o conteúdo para acesso público.

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