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Excitons ligados a impurezas doadoras em semicondutores / Not available

O estudo de excitons livres é realizado de modo adequado por uma simples aproximação hidrogenóide, mas, quando estão ligados a imperfeições torna-se necessário uma aproximação matemática mais sofisticada. Neste trabalho, o sistema de três corpos éxciton-impureza é analisado pelo método das coordenadas hiperesféricas na aproximação adiabática, introduzindo este método em problemas de física do estado sólido. Entre os resultados obtidos estão valores precisos de energia de ligação para estados fundamentais e a predição de ressonâncias / The study of free excitons can be adequately performed through a simple hydrogenoide approximation, but, when they are linked to impurities a more sophisticated mathematical approach is required. In this work, the exciton-impurity three body systems is analyzed with the method of the hyperspheric coordinates in the adiabatic approach, introducing this method to solid state physical problems. Included in obtained results are precise values for the bonding energy for the ground state and the prediction of resonances

Identiferoai:union.ndltd.org:usp.br/oai:teses.usp.br:tde-12022015-144437
Date29 March 1990
CreatorsGroote, Jean-jacques Georges Soares de
ContributorsHornos, Jose Eduardo Martinho
PublisherBiblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Source SetsUniversidade de São Paulo
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
TypeDissertação de Mestrado
Formatapplication/pdf
RightsLiberar o conteúdo para acesso público.

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