Made available in DSpace on 2014-12-17T14:07:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1
MichelineRA_DISSERT.pdf: 3734590 bytes, checksum: b9c518dbcf57b2b63cf9d386db2a5df1 (MD5)
Previous issue date: 2012-02-07 / Coordena??o de Aperfei?oamento de Pessoal de N?vel Superior / Continuous Synthesis by Solution Combustion was employed in this work aiming to
obtain tin dioxide nanostructured. Basically, a precursor solution is prepared and
then be atomized and sprayed into the flame, where its combustion occurs, leading
to the formation of particles. This is a recent technique that shows an enormous
potential in oxides deposition, mainly by the low cost of equipment and precursors
employed. The tin dioxide (SnO2) nanostructured has been widely used in various
applications, especially as gas sensors and varistors. In the case of sensors based
on semiconducting ceramics, where surface reactions are responsible for the
detection of gases, the importance of surface area and particle size is even greater.
The preference for a nanostructured material is based on its significant increase in
surface area compared to conventional microcrystalline powders and small particle
size, which may benefit certain properties such as high electrical conductivity, high
thermal stability, mechanical and chemical. In this work, were employed as precursor
solution tin chloride dehydrate diluted in anhydrous ethyl alcohol. Were utilized molar
ratio chloride/solvent of 0,75 with the purpose of investigate its influence in the
microstructure of produced powder. The solution precursor flux was 3 mL/min.
Analysis with X-ray diffraction appointed that a solution precursor with molar ratio
chloride/solvent of 0,75 leads to crystalline powder with single phase and all peaks
are attributed to phase SnO2. Parameters as distance from the flame with atomizer
distance from the capture system with the pilot, molar ratio and solution flux doesn t
affect the presence of tin dioxide in the produced powder. In the characterization of
the obtained powder techniques were used as thermogravimetric (TGA) and
thermodiferential analysis (DTA), particle size by laser diffraction (GDL),
crystallographic analysis by X-ray diffraction (XRD), morphology by scanning electron
microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), specific surface area
(BET) and electrical conductivity analysis. The techniques used revealed that the
SnO2 exhibits behavior of a semiconductor material, and a potentially promising
material for application as varistor and sensor systems for gas / A S?ntese Cont?nua por Combust?o em Solu??o (SCCS) foi empregada na obten??o
de p?s de di?xido de estanho nanoestruturados. Basicamente, uma solu??o
precursora ? preparada, sendo posteriormente atomizada e aspergida na chama,
onde ocorre a combust?o, levando ? forma??o das part?culas. A t?cnica apresenta
um grande potencial na produ??o de nanopart?culas, principalmente pelo baixo custo
de insumos e equipamentos. O di?xido de estanho (SnO2) nanoestruturado tem sido
amplamente utilizado em diversas aplica??es, principalmente como sensores de g?s
e varistores. No caso dos sensores ? base de cer?micas semicondutoras, em que as
rea??es de superf?cies s?o respons?veis pela detec??o dos gases, a import?ncia da
?rea superficial e do tamanho de part?culas ? ainda maior. A prefer?ncia por um
material nanoestruturado deve-se ao fato de que essas entidades apresentam
alguns pontos fundamentais tais como, o aumento significativo da ?rea superficial
comparados aos p?s microcristalinos convencionais e o reduzido tamanho de
part?cula, que pode beneficiar certas propriedades como alta condutividade el?trica,
alta estabilidade t?rmica, mec?nica e qu?mica. Neste trabalho, foram empregados
como solu??o precursora cloreto de estanho dihidratado dilu?dos em ?lcool et?lico
anidro. Foi utilizada a raz?o molar cloreto/solvente de 0,75 no intuito de investigar
sua influ?ncia na microestrutura do material obtido. O fluxo da solu??o precursora foi
de 3 mL/min. A an?lise por difra??o de raios X da solu??o precursora com raz?o
molar cloreto/solvente de 0,75 indicou a obten??o de um p? cristalino e monof?sico
e todos os picos s?o atribu?dos a fase SnO2. Par?metros de s?ntese como dist?ncia
da chama com o atomizador, dist?ncia do sistema de capta??o com a chama piloto,
raz?o molar e fluxo da solu??o precursora n?o afetaram a fase di?xido de estanho
no material obtido. Na caracteriza??o do p? obtido, foram utilizadas t?cnicas como
an?lises termogravim?tricas (ATG) e termodiferenciais (ATD), granulometria por
difra??o de laser (GDL), an?lise cristalogr?fica por difra??o de raios X (DRX),
morfologia por microscopia eletr?nica de varredura (MEV), microscopia eletr?nica de
transmiss?o (MET), medida de ?rea superficial espec?fica (BET) e ensaio de
condutividade el?trica. O conjunto de t?cnicas revelaram que o SnO2 apresenta
comportamento de um material semicondutor, sendo um material potencialmente
promissor ? aplica??o como varistor e em sistemas de sensores ? gases
Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.ufrn.br:123456789/12745 |
Date | 07 February 2012 |
Creators | Araujo, Micheline dos Reis |
Contributors | CPF:50580396720, http://lattes.cnpq.br/5460040602567184, Bergmann, Carlos P?rez, CPF:26258242049, http://lattes.cnpq.br/0602934516253730, Silva, Elialdo Chib?rio da, CPF:85241580425, http://lattes.cnpq.br/5426129339908081, Costa, Francisco Canind? Camilo da, CPF:46662642487, http://lattes.cnpq.br/8395852756851747, Acchar, Wilson |
Publisher | Universidade Federal do Rio Grande do Norte, Programa de P?s-Gradua??o em Ci?ncia e Engenharia de Materiais, UFRN, BR, Processamento de Materiais a partir do P?; Pol?meros e Comp?sitos; Processamento de Materiais a part |
Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
Language | Portuguese |
Detected Language | English |
Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
Format | application/pdf |
Source | reponame:Repositório Institucional da UFRN, instname:Universidade Federal do Rio Grande do Norte, instacron:UFRN |
Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Page generated in 0.0029 seconds