Estudo do comportamento eletrico de dispositivos semicondutores fabricados com filmes finos de a-C:H e a-C:H:N obtidos por RF-PECVD

Description

Orientador : Edmundo da Silva Braga / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-03T15:09:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 2003 / Mestrado

Links & Downloads

1. (Broch.)
2. PIRES, Rodrigo Porto. Estudo do comportamento eletrico de dispositivos semicondutores fabricados com filmes finos de a-C:H e a-C:H:N obtidos por RF-PECVD. 2003. 64f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/261773>. Acesso em: 3 ago. 2018.
3. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261773

Tags

Filmes finos

Carbono

Diodos

Nitrogênio

Heteroestruturas

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/261773
Date	03 August 2018
Creators	Pires, Rodrigo Porto
Contributors	UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Braga, Edmundo da Silva, 1945-
Publisher	[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação
Source Sets	IBICT Brazilian ETDs
Language	Portuguese
Detected Language	Portuguese
Type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format	64f. : il., application/pdf
Source	reponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rights	info:eu-repo/semantics/openAccess