Return to search

Fononais stimuliuoto tuneliavimo vaidmuo puslaidininkinių darinių elektriniam laidumui / The role of phonon-assisted tunneling on semiconductor electrical conductivity

Habilitacinei procedūrai teikiamų darbų apžvalgoje yra pateikiama autoriaus atlikta ir kitų autorių įvairių kristalinių (ZnS, ZnSe) ir organinių junginių diodų, nanovamzdelių, plonų plėvelių, nanofibrų, ir kitų nanodarinių mokslinėje literatūroje skelbtų eksperimentinių elektrinio laidumo tyrimų rezultatų analizė bei šių rezultatų sugretinimas su fononais stimuliuoto tuneliavimo (FST) teorijų pagrindu paskaičiuotomis tuneliavimo tikimybių priklausomybėmis. Tyrimo rezultatai leido išsiaiškinti tai, kad krūvininkų generacijos procesas yra jų tuneliavimas iš gaudiklių dalyvaujant fononams. Įrodyta, kad organiniuose dariniuose (jų tarpe ir nanodariniuose) stebimą virsmą iš puslaidininkinio laidumo į metalinį laidumą (kai virsmo temperatūra TC) galima paaiškinti krūvininkų tunelinio proceso metu susidariusiu balansu tarp fononų absorbcijos ir jų generacijos, kai proceso metu elektrinis laukas krūvininkus išlaisvina iš lokalizuotos būsenos į laidumo būseną. Toje temperatūrų srityje, kur T < TC, tuneliavime dominuoja fononų absorbcija, ir todėl ten tunelinio perėjimo tikimybė, temperatūrai augant, padidėja. Priešingai, tose srityse, kur T > TC, procese dominuoja fononų emisija ir todėl ji sumažina krūvininkų tuneliavimo tikimybę, tuo pačiu iššaukdama elektrinio laidumo sumažėjimą kylant temperatūrai.
Tokio FST modelio pagrįstumą įrodo ir tai, kad tiek plačiame elektrinių laukų, tiek ir temperatūrų intervale, tuneliavimo procesas yra vieningai aprašomas tų pačių parametrų... [toliau žr. visą tekstą] / Habilitation procedure review is for to clarify the conductance mechanism in polymers and other conducting nanodevices. The model based on the phonon-assisted tunnelling (PhAT) process, initiated by an electric field. An advantage of this PhAT model over the other models is the possibility to describe the behaviour of conductivity data measured at both low and high temperatures with the same set of parameters: εT - the energetic depth of the center, m* - the effective mass, T- temperature, E- the electric field, ħω - the phonon energy and a- the electron-phonon interaction constant. From these ones only the electron-phonon coupling constant a, and the phonon energy ħω are the fitting parameters estimated from the best fitting of the experimental data and the theory. Other parameters are from experiments or from literary sources known. Therefore, the PhAT mechanism could be dominant in the conductance of the MWNT, so as was shown, also in the case of the single-wall nanotubes. On the basis of this proposed model, the phenomenon of the crossover from non-metallic to metallic behavior of the conductivity is also explained. The decrease of conductivity in the framework of this model occurs at the temperatures T > TC when the phonon emission in the process of tunnelling dominates over the phonon absorption. The obtained agreement between the theoretical and experimental results, is not accidental but is due to the fact that the proposed model includes ultimate pictures of charge... [to full text]

Identiferoai:union.ndltd.org:LABT_ETD/oai:elaba.lt:LT-eLABa-0001:E.02~2008~D_20091125_143303-28526
Date25 November 2009
CreatorsKiveris, Antanas
ContributorsGaigalas, Gediminas, Audzijonis, Algirdas, Brazis, Romualdas, Galdikas, Arvaidas, Kundrotas, Algis Jurgis, Vaišnoras, Rimas, Vasiljev, Piotr, Vilnius Pedagogical University
PublisherLithuanian Academic Libraries Network (LABT), Vilnius Pedagogical University
Source SetsLithuanian ETD submission system
LanguageLithuanian
Detected LanguageEnglish
TypeDoctoral thesis
Formatapplication/pdf
Sourcehttp://vddb.library.lt/obj/LT-eLABa-0001:E.02~2008~D_20091125_143303-28526
RightsUnrestricted

Page generated in 0.0029 seconds