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Device Simulation and Analytical Modeling of Weak Harmonic Distortion in Bulk Silicon Radio Frequency MOSFET Switches

Diese Dissertation behandelt schwache Nichtlinearitäten in Radiofrequenzschaltern, die auf Grundlage von CMOS-Transistoren realisiert werden. Der besondere Schwerpunkt liegt auf der analytischen Modellierung sowie der Simulation der Nichtlinearität mithilfe einer TCAD (Technology Computer-Aided Design) Software.
Die Nichtlinearität kann nach den verschiedenen Quellen klassifiziert werden: der Transistornichtlinearität und der Substratnichtlinearität. Für beide Bereiche werden umfassende Simulationen und analytische Modellierungen sowie Messungen präsentiert und interpretiert. / This dissertation treats weak nonlinearities in radio frequency switches that are realised based on CMOS transistor technology. A special focus lies on the analytical modeling and TCAD simulation of the nonlinearity.
The nonlinearity is sorted into substrate and transistor nonlinearity. For both nonlinear regions profound simulations, analytical modeling and measurements are presented and interpreted.

Identiferoai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa:de:qucosa:74396
Date13 April 2021
CreatorsNiemeier, Dennis
ContributorsSchröter, Michael, Heinen, Stefan, Feick, Henning, Technische Universität Dresden
Source SetsHochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
LanguageEnglish
Detected LanguageEnglish
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, doc-type:doctoralThesis, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis, doc-type:Text
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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