PRESENTATION DES METHODES DE SIMULATIONS NUMERIQUES DES PHENOMENES DE TRANSPORT ET D'EMISSION RADIATIVE DES DISPOSITIFS COMPORTANT UN NOMBRE QUELCONQUE D'HETEROJONCTION. ETUDE DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES A SIMPLE HETEROJONCTION ET A DOUBLE HETEROJONCTION. ANALYSE DE L'INFLUENCE DES PARAMETRES GEOMETRIQUES ET TECHNOLOGIQUES. ANALYSE DES COMPORTEMENTS DES DISPOSITIFS LIES AUX PROPRIETES DES MATERIAUX: ICI ON S'INTERESSE A GAAS-GA::(1-X)ALXAS. ANALYSE DE FACON APPROFONDIE DES PHENOMENES D'ELECTROLUMINESCENCE, QUI SONT LES FONDEMENTS DE TOUTE ETUDE DES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS. ETUDE APPROCHEE DES PHENOMENES DE REFLEXION ET REABSORPTION
| Identifer | oai:union.ndltd.org:CCSD/oai:tel.archives-ouvertes.fr:tel-00178832 |
| Date | 19 September 1979 |
| Creators | Motawie, Ibrahim |
| Publisher | Université Paul Sabatier - Toulouse III |
| Source Sets | CCSD theses-EN-ligne, France |
| Language | French |
| Detected Language | French |
| Type | PhD thesis |
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