Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1
401355.pdf: 1369287 bytes, checksum: 2023585a5f248c0e60eaa5836d62deb3 (MD5)
Previous issue date: 2008-03-28 / No presente trabalho, estudou-se a cria??o de defeitos em cristais i?nicos de fluoreto de l?tio (LiF) irradiados com ?ons de ouro (Au) com energias da ordem de 3 a 15 MeV. O objetivo principal foi avaliar a efeito da taxa de dose (ou corrente i?nica) na produ??o de centros de cores nas amostras irradiadas. Amostras de LiF monocristalino clivado no plano [100] foram irradiadas com flu?ncias entre 5x10?? a 2x10 [na d?cima quarta pot?ncia] ?ons/cm? e correntes entre 1 e 210 nA/cm?. Algumas amostras foram expostas a diferentes temperaturas, observando sua influ?ncia na gera??o de defeitos. A partir da cria??o de vac?ncias ou deslocamentos de ?ons da rede para o interst?cio, centros de cores s?o gerados, produzindo mudan?as nas caracter?sticas ?pticas e el?tricas do cristal. Os centros de cores gerados nos cristais de LiF foram analisados atrav?s de espectroscopia ?ptica na faixa entre 190 a 1200 nm (UV IR-VIS). Para baixas flu?ncias, ocorre a predomin?ncia do centro - F nos espectros medidos. Com o aumento da flu?ncia foi observado que, centros - Fn e agregados dominam a espectro de absorb?ncias. Para ?ons de 10 MeV, o raio efetivo de forma??o dos centros - F em torno da trilha do ?on foi estimado em torno de 2,2 nm para o centro F. Para o centros F2 e F3 o raio efetivo ficou em torno de 1,2 nm e 0,2 nm respectivamente. Para uma flu?ncia e corrente fixa, canstata-se que numero de defeitos gerados aumenta proporcionalmente com a energia dos ?ons incidentes devido ao aumento do dE/dx m?dio e da energia m?dia dos el?trons secund?rios gerados. Por fim, foi observado para baixas flu?ncias que os danos gerados s?o praticamente independentes do valor da taxa de dose. Contudo, a taxa de dose ? significativa quando a flu?ncia aplicada no material for alta, da ordem de 5x10?? ?ons/cm? ou maior. Observou-se que a concentra??o dos centros de cores ? proporcional a (i) [1/3 na pot?ncia]. O efeito da taxa de dose esta relacionado ? altera??o da din?mica da forma??o dos defeitos, quando dois ou mais impactos i?nicos se sobrep?em espacialmente e temporalmente. 0 aquecimento transiente da amostra, devido ?s altas correntes, tamb?m influencia na maior efici?ncia na produ??o dos centros de cores, mas n?o da conta completa do efeito da corrente que ? observado mesmo as amostras s?o resfriadas durante a irradia?ao.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:tede2.pucrs.br:tede/3113 |
| Date | 28 March 2008 |
| Creators | Souza, Daniel Silva de |
| Contributors | Papal?o, Ricardo Meurer |
| Publisher | Pontif?cia Universidade Cat?lica do Rio Grande do Sul, Programa de P?s-Gradua??o em Engenharia e Tecnologia de Materiais, PUCRS, BR, Faculdade de Engenharia |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | application/pdf |
| Source | reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RS, instname:Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul, instacron:PUC_RS |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Relation | -7432719344215120122, 500, 600, -655770572761439785 |
Page generated in 0.0017 seconds