[pt] Neste trabalho é realizado um estudo sobre os transistores
HEMT. A partir da geometria do dispositivo, espessuras e
densidades de dopagem das camadas que compõem a
heterojunção, são obtidas expressões analíticas para a
característica IXV do componente bem como para o circuito
equivalente de pequenos sinais na faixa de microondas.
Posteriormente, os principais efeitos ópticos que ocorrem
nos HETM´s são discutidos. O objetivo é determinar o
comportamento do dispositivo quando este é iluminado com
energia óptica. Ênfase especial é dada aos efeitos
fotocondutivo e fotovoltaico.
Finalmente, duas aplicações práticas explorando os
mecanismos citados acima são apresentadas: sintonia óptica
de um oscilador de microondas operando em 2 Ghz e controle
óptico do ganho de um amplificador de microondas. / [en] In this work a study about HETMs transistors is carried
out. Given the geometry of the device, thickness and
doping densities of the layers that form the
heterojunction, analytical expressions for the component´s
IXV characteristics as well as for the small-signal
microwave equivalent circuit are obtained.
Later, the major photoffects that occur in HETM´s are
discussed. The goal is to determine the behaviour of the
device under optical illumination. Special emphasis is
given for the photovoltaic and photoconductive effects.
Finally, two pratical applications exploring the
mechanisms cited above are presented: optical tuning of a
2 Ghz HETM oscillator and optical control of gain of a
microwave HEMT amplifier.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:puc-rio.br/oai:MAXWELL.puc-rio.br:9473 |
| Date | 16 January 2007 |
| Creators | MURILO ARAUJO ROMERO |
| Contributors | ALVARO AUGUSTO ALMEIDA DE SALLES |
| Publisher | MAXWELL |
| Source Sets | PUC Rio |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | TEXTO |
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