Semiconductor nanowires, known for their high quality, large surface-to-volume ratio and coaxial quantum confinement, are a promising material for the next generation nano-electronics and nano-photonics devices. Intensive research on this material has been done over the past decade. In particular, the single nanowire electrical device, which can be fabricated using cleanroom technology and is compatible with the well-developed integrated-circuit processing technique, has significant practical applications. In this work, the complete process of fabricating a single nanowire device, from mask design to pre-patterned chip making, from nanowire transfer to nanowire device fabrication, from substrate preparation and cleaning to dicing, from spin-coating and exposure to developing, from metal deposition and lift-off to packaging, was carefully investigated. In addition, basic measurements and preliminary results such as resistance - temperature (R-T) behavior, resistance - magnetic field (R-B) behavior and current - voltage (I-V) curve, are shown. This thesis thus provides detailed information about compatibility of single semiconductor nanowires with the standard integrated-circuit technique and can serve as a manual for single nanowire electrical device fabrication. / Les nanofils semiconducteurs, connus pour leur haute qualité, leur large rapport surface/volume et leur confinement quantique coaxial, sont des matériaux prometteurs pour la prochaine génération de technologies nanoéléctroniqueset nanophotoniques. Une recherche intensive sur ces matériaux a été effectuée au cours de la dernière décennie. En particulier, les nanofils, qui peuvent être fabriqués en salle blanche, sont compatibles avec la technique maîtrisée du traitement en circuit intégré et ils ont des applications pratiques significatives. Dans ce travail, le processus complet de fabrication d'un dispositif à nanofil simple, de la conception du masque à la fabrication de puces, du transfert du nanofil à la fabrication de dispositifs à nanofil, de la préparation et nettoyage du substrat au découpage en dés, du dépôt par centrifugation et de l'exposition au développement, de la déposition et décollage du métal à l'emballage, a été examiné soigneusement. En outre, des mesures de base et des résultats préliminaires sont également présentés. Cette thèse fournit donc des informations détaillées sur la compatibilité des nanofils semiconducteurs avec la technique standard de circuit intégré et peut servir de manuel pour la fabrication de dispositifs à base de nanofilssimples.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:LACETR/oai:collectionscanada.gc.ca:QMM.114558 |
| Date | January 2013 |
| Creators | Shao, Chenxu |
| Contributors | Guillaume Gervais (Internal/Supervisor), Zetian Mi (Internal/Cosupervisor2) |
| Publisher | McGill University |
| Source Sets | Library and Archives Canada ETDs Repository / Centre d'archives des thèses électroniques de Bibliothèque et Archives Canada |
| Language | English |
| Detected Language | French |
| Type | Electronic Thesis or Dissertation |
| Format | application/pdf |
| Coverage | Master of Science (Department of Physics) |
| Rights | All items in eScholarship@McGill are protected by copyright with all rights reserved unless otherwise indicated. |
| Relation | Electronically-submitted theses. |
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