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Previous issue date: 2007-02-27 / Financiadora de Estudos e Projetos / Photoluminescence spectroscopy has been used to provide important insight
on the tunneling dynamics of carriers in double barrier diodes. In this work, we have
performed time-resolved photoluminescence measurements in symmetric and
asymmetric p-type GaAs/AlAs resonant tunneling diodes in order to study the
tunneling dynamics of photocreated minority electrons. We observed several peaks
in the current voltage characteristics (I-V) associated to the resonant tunneling of
holes through different quantum well heavy- and light-hole sub-bands. Under light
excitation, we have observed the developing of additional peaks in the I-V curve. For
the asymmetric structure, two peaks were observed and associated to the exciton
assisted tunneling and resonant tunneling of photogenerated electrons. We have
studied the temporal evolution of the GaAs contact and quantum well (QW) emission
versus the applied bias voltage. For the QW, the luminescence comes solely from the
recombination between the lowest-energy confined levels in the QW even when the
device is biased at higher tunneling resonance peaks. For both structure, the PL
decay depends on the applied voltage and presents a bi-exponential decay for some
values of bias. The results revealed a markedly long PL decay at the bias voltage
associated the exciton assisted tunneling resonance in the current voltage
characteristic. For the GaAs emission, we observed a weak dependence of the PL
intensity versus voltage and a mono-exponential decay. We analyze our results
considering the diffusion and tunneling of minority electrons in the structure / Neste trabalho, realizamos um estudo de fotoluminescência resolvida no
tempo em diodos de tunelamento ressonante do tipo p. Em particular, estudamos
estruturas p-i-p de GaAs/AlAs com barreiras de largura simétrica e assimétrica.
Desta forma, os efeitos observados são predominantemente referentes a dinâmica
de tunelamento de elétrons fotocriados na estrutura (portadores minoritários).
Realizamos medidas de transporte e fotoluminescência resolvida no tempo do poço
quântico e do contato em baixa temperatura e em função da tensão aplicada na
estrutura. Para ambos os diodos, observamos uma dependência importante do
tempo característico de decaimento da fotoluminescência do poço quântico com a
voltagem aplicada. Observamos também um decaimento bi-exponencial para
voltagens próximas ao tunelamento de portadores minoritários (elétrons
fotogerados). Para emissão do contato GaAs, observamos um decaimento monoexponencial
e uma fraca dependência com a voltagem aplicada. Os resultados
obtidos foram interpretados a partir da difusão e tunelamento de portadores
minoritários na estrutura
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.ufscar.br:ufscar/4996 |
| Date | 27 February 2007 |
| Creators | Galeti, Helder Vinicius Avanço |
| Contributors | Gobato, Yara Galvão |
| Publisher | Universidade Federal de São Carlos, Programa de Pós-graduação em Física, UFSCar, BR |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | English |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | application/pdf |
| Source | reponame:Repositório Institucional da UFSCAR, instname:Universidade Federal de São Carlos, instacron:UFSCAR |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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