Elaboration par OM-CVD du semiconducteur composite désordonné GaAs:(SiC,H) : corrélations entre sa structure hétérogène et ses propriétés électroniques

Description

Reproduction de : Thèse d'Etat : Sciences des matériaux : Toulouse, INPT : 1985. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr.130 réf.

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1. http://ethesis.inp-toulouse.fr/archive/00000046

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Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/491461329
Date	January 2004
Creators	Maury, Francis. Constant, G..
Publisher	Toulouse : INP Toulouse,
Source Sets	OCLC
Language	French
Detected Language	French