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Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische- und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen

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Links & Downloads
  1. http://edoc.ub.uni-muenchen.de/188/1/Boehm_Stefan.pdf
  2. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:19-1888
  3. Böhm, Stefan (2002): Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische- und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen. Dissertation, LMU München: Fakultät für Physik
Tags
Fakultät für Physik
Additional Fields
Identiferoai:union.ndltd.org:MUENCHEN/oai:edoc.ub.uni-muenchen.de:188
Date22 July 2002
CreatorsBöhm, Stefan
Publisherlmu
Source SetsDigitale Hochschulschriften der LMU
Detected LanguageGerman
TypeDissertation, NonPeerReviewed
Formatapplication/pdf
Relationhttp://edoc.ub.uni-muenchen.de/188/

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