Dissertação (Mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-graduação em Engenharia Elétrica / Made available in DSpace on 2012-10-23T16:24:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1
260104.pdf: 996649 bytes, checksum: b06bc3bd51f98b602c5fe962c832e0ed (MD5) / Esta dissertação visa o estudo da célula SRAM de 6 transistores, utilizando tecnologia CMOS convencional, operando em ultra baixa tensão de alimentação e conseqüentemente com baixo consumo. Para isso, os transistores MOS deverão operar no regime de inversão fraca. Nesse regime, as correntes dos transistores dependem exponencialmente das tensões aplicadas aos transistores e dos parâmetros tecnológicos. Descasamento entre transistores causados por variações no processo de fabricação afeta diretamente o comportamento dos circuitos. Operando com ultra baixa tensão de alimentação, circuitos digitais têm seus desempenhos significativamente diminuídos. Para reduzir o impacto causado pela redução da alimentação, a utilização de técnicas de polarização de substrato é empregada a fim de melhorar o desempenho dos circuitos. Utilizando circuitos de polarização de substrato também dependentes dos mesmos parâmetros tecnológicos dos circuitos a que serão aplicados, a polarização de substrato ajuda na compensação das variações causadas no processo de fabricação. Neste trabalho, foram estudados circuitos bastante simples para a polarização de substrato dos transistores que formam a célula SRAM. Utilizando simulações, com a tecnologia TSMC 0,18µm, comparativos entre células SRAM utilizando polarização de substrato avaliaram o efeito sobre a SNM (Margem de Ruído Estático) e sobre a velocidade (de estabilização em um nível lógico definido) da célula SRAM. Pela simplicidade e tamanho reduzido, os circuitos de polarização de substrato empregados se mostraram como opções funcionais para melhorar a operação da célula SRAM em ultra baixa tensão de alimentação e sob condições de descasamento.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.ufsc.br:123456789/90886 |
| Date | January 2008 |
| Creators | Lima, Alessandro de Souza |
| Contributors | Universidade Federal de Santa Catarina, Noceti Filho, Sidnei, Marques, Luís Cléber Carneiro |
| Publisher | Florianópolis, SC |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | xv, 93 f.| il., grafs., tabs. |
| Source | reponame:Repositório Institucional da UFSC, instname:Universidade Federal de Santa Catarina, instacron:UFSC |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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