Análisis y comprobación del comportamiento de los transistores de efecto de campo sensibles a iones respecto a los MOSFETS

Description

El objetivo del presente trabajo es analizar y comprobar el comportamiento de los ISFETs respecto a los MOSFETs. Para lograr lo anterior se utilizarán técnicas modernas de simulación y ensayos en laboratorio; de esta forma se podrá observar las similitudes y diferencias de comportamiento, y dependencias entre las variaciones tales como corriente de drenador respecto a variaciones del voltaje umbral. Además, esta comprobación se realizará considerando los valores de los parámetros de fabricación que ha generado el fabricante de los ISFETs y asumiendo valores intrínsecos de este dispositivo y siempre observando lo que sucede con los MOSFETs en situaciones similares. / Tesis

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1. http://tesis.pucp.edu.pe/repositorio/handle/123456789/225

Tags

Biosensores

Detectores químicos

Semiconductores

SPICE (Programas para computadoras)

Transistores de efecto de campo

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:PUCP/oai:tesis.pucp.edu.pe:123456789/225
Date	09 May 2011
Creators	Prado Saldaña, Víctor Zacarías
Publisher	Pontificia Universidad Católica del Perú
Source Sets	Pontificia Universidad Católica del Perú
Language	Spanish
Detected Language	Spanish
Type	info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
Format	application/pdf
Source	Pontificia Universidad Católica del Perú, Repositorio de Tesis - PUCP
Rights	Atribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 Perú, info:eu-repo/semantics/openAccess, http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/pe/