En el presente trabajo de tesis se presenta el estudio de las propiedades ópticas y
electroquímicas de las películas delgadas de carburo de silicio amorfo y carburo de silicio
amorfo hidrogenado. Las películas fueron fabricadas mediante la técnica de pulverización
catódica de radiofrecuencia en una atmosfera de argón e hidrógeno sobre sustratos de
silicio y de sílice fundida. Se evaluó el impacto de hidrógeno al introducir un flujo de 3
sccm durante el proceso de deposición de las películas de a-SiC y el impacto de un
tratamiento químico, antes y después de la inmersión de las películas delgadas de a-SiC
y a-SiC:H en una solución de ácido sulfúrico 1M durante 96 horas. Se utilizaron métodos
y modelos apropiados para recuperar el índice de refracción, el coeficiente de absorción,
el espesor, la energía de Urbach y el ancho de banda de las películas delgadas, a partir de
mediciones de transmitancia óptica por espectroscopia UV-VIS. El efecto de la
superposición de las colas de Urbach en la región de absorción fundamental solo es
tomado en consideración por el modelo de fluctuaciones de banda, por lo cual se
considera que los valores del ancho de banda determinados por este modelo son más
precisos. Las propiedades vibratorias de los diferentes enlaces que forman las estructuras
de a-SiC y a-SiC:H se obtuvieron a partir de mediciones de espectroscopia infrarroja por
transformada de Fourier. Con el ingreso de hidrógeno, se revela la aparición de los picos
de Si-CH, Si-H y C-H, adicionales a los picos de Si-O y Si-C característicos de a-SiC.
Luego del tratamiento químico, se reporta el inicio de un proceso de oxidación en ambas
estructuras, siendo verificado a partir de la densidad de enlaces y de la aparición de 4
picos en la región de 790 cm-1 – 1200 cm-1 para el a-SiC. La interfaz semiconductor –
electrolito se caracterizó a partir de mediciones de espectroscopia de impedancia
electroquímica. Los diagramas de Nyquist revelan la contribución de la región de espacio
de carga del SiC y de la capa de óxido nativo que se forma sobre el SiC. Las
contribuciones capacitivas y resistivas de las muestras se evaluaron a partir de la
obtención de un circuito equivalente que representa los sistemas estudiados
| Identifer | oai:union.ndltd.org:PUCP/oai:tesis.pucp.edu.pe:20.500.12404/21499 |
| Date | 02 February 2022 |
| Creators | Muñoz Zuñiga, Aissa Olenka |
| Contributors | Guerra Torres, Jorge Andres |
| Publisher | Pontificia Universidad Católica del Perú, PE |
| Source Sets | Pontificia Universidad Católica del Perú |
| Language | Spanish |
| Detected Language | Spanish |
| Type | info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | application/pdf |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess, Atribución 2.5 Perú, http://creativecommons.org/licenses/by/2.5/pe/ |
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