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Previous issue date: 2011-05-25 / CAPES - Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / In this work we study the optical properties such as reflectance, dispersion and absorption,
and the eff ects of nonlinear optics in a semiconductor planar microcavity formed bytwo DBR mirrors (Distributed Bragg Reector) composed by pairs of alternating layers of AlAs/Al0:2Ga0:8As, separated by a spacer layer Al0:3Ga0:7As which has at its center a
GaAs quantum well thickness of 100 A. The upper and lower mirrors have 26.5 and 22 pairs of alternating layers, respectively. Reectance spectra were performed to analyze the behavior of the microcavity resonance when subjected to external electrical elds. For this, electrical contacts were made
with silver paint on the faces of the sample and connected to an adjustable DC source.
Voltages from 0 to 10 volts were applied so that a component of the electric eld that cross
the sample in the normal direction to the surface. We characterize the nonlinear electric
susceptibility, which shows a strong dependence on the applied electric eld. From the
theoretical point of view, the re ectance was studied by transfer matrix method in order to
nd a compatibility to the experimental results. The dispersion curve was modeled based
on the Sellmeier equation, but with coe cients that depend on the concentration of aluminum alloy for semiconductor AlxGa1xAs, and applied electric eld. All measurements
were made at room temperature. / Neste trabalho, estudamos as propriedades ópticas como a reflectância, a dispersão e a absorção, além dos efeitos de óptica não-linear em uma microcavidade semicondutora planar formada por dois espelhos DBR (Distributed Bragg Reector ) constituídas por pares de camadas alternadas de AlAs/Al0;2Ga0;8As, separado por uma camada espaçadora de Al0;3Ga0;7As, que possui em seu centro um poço quântico de GaAs de 100 _A de espessura. Os espelhos inferior e superior possuem 26.5 e 22 pares de camadas alternadas, respectivamente. Espectros de reflectância foram realizadas para analisarmos o comportamento da ressonância na microcavidade quando submetido à campos elétricos externos. Para isso, foram feitos contatos elétricos com tinta prata nas faces da amostra e conectados a uma fonte DC ajustável. Tensões de 0 a 10 volts foram aplicadas, de modo que uma componente do campo elétrico atravessasse a amostra na direção normal à superfície. Caracterizamos a susceptibilidade elétrica não-linear, que apresenta uma forte dependência com o campo elétrico aplicado. Do ponto de vista teórico, a reflectância foi estudada através do método de Matriz Transferência, a fim de encontrarmos uma compatibilidade ao resultado experimental. A curva de dispersão foi modelada baseando-se na equação de Sellmeier, mas com coeficientes que dependem da concentração de alumínio, para a liga semicondutora AlxGa1xAs, e do campo elétrico aplicado. Todas as medidas foram feitas à temperatura ambiente.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:http://localhost:tede/4541 |
| Date | 25 May 2011 |
| Creators | Cunha, José Maurício da |
| Contributors | Cotta, Eduardo Adriano |
| Publisher | Universidade Federal do Amazonas, Programa de Pós-graduação em Física, UFAM, Brasil, Instituto de Ciências Exatas |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | English |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | application/pdf |
| Source | reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFAM, instname:Universidade Federal do Amazonas, instacron:UFAM |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Relation | 1842481183590694693, 600 |
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