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Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores SOI-MOSFET fabricados em tecnologia de camadas ultra finas (UTB e UTBB)/

Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018.

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:sofia.fei.edu.br:perga-oai/130099
Date January 2018
CreatorsCosta, F. J.
ContributorsDoria, R. T.
PublisherSão Bernardo do Campo
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Sourcereponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI, instname:Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana, instacron:FEI
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
RelationDisponível também em versão on-line

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