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Élaboration par OM-CVD du semi-conducteur composite désordonné GaAs : (SiC, H) : corrélations entre sa structure hétérogène et ses propriétés électroniques.

Th.--Sci. des matér.--Toulouse--I.N.P., 1985. N°: 95.

Identiferoai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/465172210
Date January 1900
CreatorsMaury, Francis,
Publisher[S.l. : s.n.,
Source SetsOCLC
LanguageFrench
Detected LanguageFrench

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