Return to search

Caracterização da superficie do silicio poroso por microscopia de força atomica

Orientadores: Vitor Baranauskas, Ioshiaki Doi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-20T11:56:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Chang_DahgeChiadin_M.pdf: 6030293 bytes, checksum: 5ec0e1b1c28ec83130ec230e8ef7412a (MD5)
Previous issue date: 1995 / Resumo: Após se descobrir que o silício pode emitir luz visível em uma condição bem particular, ou seja, através de uma excitação no estado poroso, foram feitos estudos sobre o fenômeno e se verificou que há uma relação da porosidade do silício com o comprimento de onda emitido. Esta propriedade de luminescência abre uma vasta gama de aplicações uma vez que o silício é um material muito conhecido e disponível. Este trabalho tem como propósito a uma melhor compreensão das propriedades estruturais deste material e fazer uma relação entre os tipos de materiais obtidos com o processo de fabricação. Para o estudo foi utilizado o microscópio de força atômica (MFA), um equipamento específico para a análise de superficies, e a obtenção do silício poroso (PS) pelo processo eletroquímico. Estudou-se amostras obtidas para várias condições de processo e obtido o perfil do material pelas análises do MFA, permitindo com os resultados obtidos auxiliar em obter PS com características superficiais específicas / Abstract: After the discovery that silicon could emit visible light in porous state, many studies have been done to identify the relationship between the porosity of the silicon and the emitted light wavelenghí. The luminescente property makes possible wide range of potencial aplications. In this study propous the surface structural property of porous silicon is measured and related to the fabrication processo the samples were prepared by the eletrochemical dilution process and studied by the Atomic Force Microscopeo / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/261662
Date04 August 1995
CreatorsChang, Dahge Chiadin
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Baranauskas, Vitor, 1952-2014, Doi, Ioshiaki, 1944-
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format99f. : il., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

Page generated in 0.0016 seconds