Durchbruchsverhalten von Gateoxiden Einfluss eingewachsener Defekte und metallischer Verunreinigungen /

Description

Halle, Wittenberg, Univ., Diss., 2002. / Computerdatei im Fernzugriff.

Links & Downloads

1. http://sundoc.bibliothek.uni-halle.de/diss-online/02/02H147/prom.pdf
2. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=965213455

Tags

Siliciumhalbleiter

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/638378177
Date	January 2002
Creators	Huth, Steffen.
Publisher	[S.l.] : [s.n.],
Source Sets	OCLC
Language	Undetermined
Detected Language	German