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Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T12:29:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Santos_ThebanoEmiliodeAlmeida_M.pdf: 1326878 bytes, checksum: 3b536c470b96f98b7b0edc42c8119769 (MD5)
Previous issue date: 1986 / Resumo: É feito um estudo sobre difusão de estanho em GaAs dopado com Cr (semi-isolante) e tipo p através da técnica que utiliza filme de SiO2:Sn depositado sobre a amostra. Neste estudo, evidencia-se as influências da conversão do GaAs dopado com Cr e das vacâncias de Ga.
Os resultados obtidos são comparados com os da literatura / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/278451
Date13 February 1986
CreatorsSantos, Thebano Emilio de Almeida
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948-
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin, Programa de Pós-Graduação em Física
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format75f. : il., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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