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Abordagem inovadora com plasma de baixa temperatura para a deposição de filmes a partir do acetilacetonato de alumínio /

Orientador: Elidiane Cipriano Rangel / Banca: José Humberto Dias da Silva / Banca: Adriana de Oliveira Delgado Silva / Resumo: Filmes de alumina foram depositados a partir de um nova metodologia de deposição a plasma, utilizando o pó de acetilacetonato de alumínio (AAA) como precursor. Em trabalho prévio do grupo, foi demonstrada a viabilidade do sputterring do AAA em plasma de argônio para deposição de filmes finos. Os bons resultados obtidos estimularam o desenvolvimento do presente trabalho, visando a aperfeiçoamento da metodologia de deposição. Para isso, primeiramente foram investigados os efeitos da alteração da composição química da atmosfera do plasma, por meio da incorporação de diferentes proporções de oxigênio (02%) ao argônio, tornando o processo em sputtering reativo. As deposições foram realizadas espalhando-se o pó do AAA no eletrodo inferior de uma sistema de plasma acoplado capacitivamente. Argônio, oxigênio ou mistura de ambos foram admitidos até a pressão de 11,0 Pa. O plasma foi gerado pela aplicação de sinal de radiofrequêcia (13,56 MHz, 150 W) ao eletrodo contendo o pó, mantendo-se o eletrodo superior, também utilizando como porta-amostras, aterrado. O tempo de deposição foi de 90 minutos. Investigou-se o efeito da O2%, variada de 0 a 100% nas propriedades dos filmes. Na etapa subsequente, filmes foram depositada por sputtering reativo utilizando-se a condição considerada ótima na última etapa do trabalho (02% = 25%) e mantendo-se as condições de pressão, potência e tempo de tratamento constantes. Todavia, ao invés de aterrar o porta-amostras, pulsos retangulares negativos (600 V, 2 kHz, 1-100% de ciclo dos trabalho) foram aplicados, promovendo bombardeamento iônico durante a deposição por sputtering reativo. O efeito de ciclo de trabalho dos pulsos nas propriedades dos filmes foi avaliado. Na última etapa do trabalho, filmes foram depositadas pelo sputtering reativo a partir de atmosferas contendo 25% de O2 e 75% de Ar e em condições mais... (Resumo completo, clicar acesso eletrônio abaixo) / Abstract: Alumina films were deposited by a new plasma deposition method using aluminum acetylacetonate (AAA) powder as precursor. In a previous study by our group, the feasibility of AAA sputtering in argon plasmas for thin films deposition was demonstrated. The good results stimulated the development of this work, aiming at the improvement of the deposition methodology. For this, the effects of modification in the chemical composition of the plasma atmosphere were first investigated, through the use of different oxygen to argon proportions (O2%), making the process a reactive sputtering. The deposition were performed by spreading the AAA powder on the lower electrode of a capacitively coupled plasma system. Argon, oxygen or a mixture of both were admitted up to a pressure of 11.0 Pa. Application of radiofrequency power (13.56 MHz, 150 W) to the powder covered electrode generated the plasma, keeping the upper electrode, also used as a sample holder, grounded. Deposition times of 90 minutes were used. The effects of varying the oxygen proportion from 0 to 100% on the film properties were studied. In the subsequent stage, films were deposited by reactive sputtering using the condition considered best in the stage of the work (O2%=25%) and keeping the pressures, power and treatment time constant. Instead of grounding the sample holder, however, negative rectangular pulses (600 V, 2 KHz, 1-100% duty cycle) were appliedm promoting ion bombardment during the deposition by reactive sputerring. The influence of the pulse duty cycle on the properties of the films was evaluated. In the last study stage, films were deposited by reactive sputtering from atmspheres containing 25% O2 and 75% Ar and with more energetic conditions than those used in previous cycles. For such, a first samples set was prepared by resistive heating of the sample holder (410ºC) in a lower plasma pressure (4,0 Pa) than that previously used... (Complete abstract electronic access below) / Mestre

Identiferoai:union.ndltd.org:UNESP/oai:www.athena.biblioteca.unesp.br:UEP01-000878378
Date January 2016
CreatorsBattaglin, Felipe Augusto Darriba.
ContributorsUniversidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" Câmpus Experimental de Sorocaba.
PublisherSorocaba,
Source SetsUniversidade Estadual Paulista
LanguagePortuguese, Portuguese, Texto em português; resumo em inglês
Detected LanguageEnglish
Typetext
Format126 f. :
RelationSistema requerido: Adobe Acrobat Reader

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