> Ce manuscrit présente une étude théorique et expérimentale effectuée sur des transistors MOSFET d'une> technologie avancée de type FD SOI (complètement déserté silicium sur isolant). Des mesures électriques> combinées avec des modélisations ont été effectuées dans le but d'apporter des explications sur des phénomènes> liés à réductions des dimensions des transistors. Ce travail de thèse donne une réponse partielle de l'impact de ces> aspects sur les paramètres électrique ainsi que les paramètres de transport."
Identifer | oai:union.ndltd.org:CCSD/oai:tel.archives-ouvertes.fr:tel-00870329 |
Date | 20 December 2012 |
Creators | Ben akkez, Imed |
Publisher | Université de Grenoble |
Source Sets | CCSD theses-EN-ligne, France |
Language | fra |
Detected Language | French |
Type | PhD thesis |
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