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Preparação de filmes policristalinos de GaN pela técnica de sputtering reativo a baixas temperaturas de substrato

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carvalho_av_me_bauru.pdf: 1153959 bytes, checksum: d1140cdf287a17bba3b0a2bcf3f995eb (MD5) / Descreve-se a preparação de várias amostras de filmes finos de Nitreto de Gálio (GaN), depositados sobre diferentes tipos de substratos pela utilização da técnica de RF-Magnetron Sputtering Reativo, utilizando-se atmosfera de nitrogênio ('N POT. 2') com diferentes temperaturas de substrato (< 400ºC). As amostras foram caracterizadas estruturalmente pelo uso da técnica de difração de raio-X (DRX), permitindo a obtenção de informações sobre tamanhos de cristalito, padrões de texturação e parâmetros de rede. A ocorrência de textura de orientação bem definida e a relação desta com as condições do alvo utilizado são analisadas no trabalho. / The preparation of several samples of Gallium Nitride (GaN) thin films, deposited onto different kinds of substrates by Reactive RD - Magnetron Sputtering, in pure Nitrogen ('N POT. 2') atmosphere with different substrate temperatures (< 400ºC) is described. The samples were structurally characterized by the use of X-ray diffraction, allowing obtain of information about cristalite size, texture pattern, and lattice parameters. The occurence of orientation texture and its relationship with target conditions are analysed.

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unesp.br:11449/88491
Date23 June 2009
CreatorsCarvalho, Adriano Vieira de [UNESP]
ContributorsUniversidade Estadual Paulista (UNESP), Silva, José Humberto Dias da [UNESP]
PublisherUniversidade Estadual Paulista (UNESP)
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguageEnglish
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format105 f. : il.
SourceAleph, reponame:Repositório Institucional da UNESP, instname:Universidade Estadual Paulista, instacron:UNESP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
Relation-1, -1

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