L'alimentation des circuits à très faible tension, permettant une efficacité énergétique multipliée par 10, répond aux contraintes des applications mobiles, au prix d'une variabilité accrue limitant la prédiction des résultats et nécessitant des efforts et méthodologies de conception spécifiques. Cette thèse associe la conception à très faible tension aux exigences industrielles, et présente le développement de cellules digitales optimisées pour la très faible tension, par une méthodologie indépendante de la technologie. Ces cellules, validées par des mesures sur silicium en technologie CMOS 40nm, ont conduit à la fabrication d'un circuit numérique, dont le test met en évidence les adaptations permettant d'améliorer le rendement. Enfin, une cellule mémoire a été conçue et optimisée à très faible tension, ainsi que des solutions d'assistance en lecture et en écriture pour renforcer la tolérance à la variabilité. Un démonstrateur 128kb est fabriqué en 65nm pour valider ces développements.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:CCSD/oai:tel.archives-ouvertes.fr:tel-00591527 |
| Date | 18 November 2010 |
| Creators | Abouzeid, F. |
| Publisher | Université de Grenoble |
| Source Sets | CCSD theses-EN-ligne, France |
| Language | French |
| Detected Language | French |
| Type | PhD thesis |
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