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X-ray Study of Strain, Composition, Elastic energy ans Atomic ordering in Ge islands on Si(001)

Neste trabalho foram utilizadas técnicas de difração de raios-x para estudar propriedades químicas e estruturais de ilhas de Ge:Si(001). Através de experimentos de difração por incidência rasante foi realizado um mapeamento estrutural da relaxação de strain dentro de pirâmides e domos de Ge. Alterando-se a energia dos raios-x próximo à borda K do Ge – em medidas de difração anômala – foi possível determinar a composição química dos dois tipos de ilhas. A energia elástica, obtida correlacionando-se estes dois resultados, provou ser um dos fatores responsáveis pelas transições morfológicas neste sistema. Uma extensão dos resultados, com o uso de um novo método de análise, permitiu um completo mapeamento tri-dimensional da estrutura e estequiometria dos domos de Ge. Por último, foi observada a existência de uma liga ordenada de SiGe dentro dos domos, indicando o importante papel da cinética de crescimento na incorporação de Si nas ilhas.

Identiferoai:union.ndltd.org:CCSD/oai:tel.archives-ouvertes.fr:tel-00009788
Date19 July 2005
CreatorsMalachias, Angelo
Source SetsCCSD theses-EN-ligne, France
LanguageEnglish
Detected LanguagePortuguese
TypePhD thesis

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