Orientador: Wilmar Bueno de Moraes / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-19T10:00:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1994 / Resumo: Os principais parâmetros de uma célula de um transistor VDMOS de potência são: a tensão de transição, a tensão de ruptura, a resistência de condução e as capacitâncias parasitárias que surgem na estrutura. Apresenta-se a conceituação teórica destes parâmetros, bem como modos de otimizar seus valores. Desta forma, um modelo tridimensional para a difusão térmica é discutido e outros fenômenos que influenciam tal difusão são analisados. Técnicas de terminação de junções são ilustradas. Finalmente é apresentado um procedimento de projeto e sua otimização / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/260020 |
| Date | 19 July 2018 |
| Creators | Nogueira, Jose Francisco Vieira |
| Contributors | UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Moraes, Wilmar Bueno de, 1939- |
| Publisher | [s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | [187] f. : il., application/pdf |
| Source | reponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Relation | (Publicação FEE) |
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