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Desenvolvimento de diodos emissores de luz de dupla-heteroestrutura em InGaAsP/InP e GaAlAs/GaAs para aplicação em comunicações opticas

Orientador : Edson Moschim / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-17T07:54:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1992 / Resumo: O presente trabalho constitui-se na síntese de LEDs de emissão lateral, fabricados a partir de heteroestruturas duplas em GaAlAs/GaAs e InGaAsP/InP, emitindo em 0,85 e 1,3µm, respectivamente. Esse desenvolvimento, totalmente realizado nos Laboratórios de Optoeletrônica do CPqD-Telebrás, é pioneiro no país, e cobre desde o crescimento epitaxial dos cristais até o encapsulamento final dos LEDs, acoplados a fibras ópticas, visando o atendimento da demanda de fontes confiáveis e de alto desempenho, para aplicação em comunicação ópticas / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/260390
Date28 July 1992
CreatorsBarbosa, Felipe Rudge
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Moschim, Edson, 1953-
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Format[121]f. : il., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
Relation(Publicação FEE)

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