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Investigação de problemas relacionados a mobilidade térmica de discordâncias utilizando aplicação de carga concentrada. / Investigation of problems related to the thermal mobility of dislocations using indentation.

A mobilidade térmica de discordância foi investigada em silício puro, floating zone, livre de discordâncias, utilizando medidas de rosetas produzidas por indentação. A mobilidade das discordâncias produzidas em amostras cobertas com camada de óxido crescida termicamente foi comparada com a de superfície não coberta. Um aumento da mobilidade térmica foi encontrado em amostras cobertas. Também foram obtidas informações sobre modificações na estrutura de discordâncias em rosetas relacionadas à anisotropia na dureza. Esse efeito foi encontrado como sendo dependente da temperatura. / The thermal mobility of dislocations was investigated in intrinsic floating zone dislocation free silicon using indentation dislocation rosette (IDR) measurements. The mobility of introduced dislocations in samples covered with a thermal oxide layer was compared with that with a bare surface. An increase on dislocation thermal mobility was found in covered samples. Also information about dislocations pattern structure modifications on IDR related to hardness anisotropy was obtained. This effect was found to be temperature dependent.

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:teses.usp.br:tde-22052009-133717
Date10 February 1987
CreatorsIvo Alexandre Hummelgen
ContributorsVicente Roberto Dumke, Rene Ayres Carvalho, José de Anchieta Rodrigues
PublisherUniversidade de São Paulo, Física, USP, BR
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguageEnglish
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Sourcereponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP, instname:Universidade de São Paulo, instacron:USP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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